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创芯微 CM1128 - AAS 单节锂电保护 CM110X/111X系列产品是高集成度的二合一单节锞电池保护芯片,采用高电压CMOS工艺,内部集成了保护IC和MOSFET,可为电池提供过充电、过放电、放电过电流、充电过电流、短路等保护功能,同时具备休眠功能,在低电芯电压条件下可实现对电芯的保护,并保证极低的自耗电,具有高集成度、高精度、低功耗及高耐压等特点。CM1124/1126/1130/112E/2124系列产品是高集成度的二合一单节锂电池保护芯片,可为电池提供过充电、过放电、放电过电流、充电过电流、短路等保护功能,芯片具有高集成度、高精度、低功耗和体积小等特点。同时CM126B、CM1130系列产品支持船运模式,使小容量电池满足海运运输及长期存储需求,同时,均采用体积极小的DFN1.0*1.0/SOT23封装形式,可以满足最小至TWS电路板的贴片需求。CM1125/1127/1131/1137系列产品是高集成度的二合一单节锂电池保护芯片,可为电池提供过充电、过放电、放电过电流、充电过电流、短路等保护功能,芯片具有高集成度、高精度、低功耗和体积小等特点,是TWS充电仓、智能穿戴及通用市场等锂离子/锂聚合物电池保护的高集成度解决方案。CM1128/1129/1139/1143系列产品内置有高精度电压检测电路和延迟电路,集成低内阻MOSFET,通过检测电池的电压、电流,实现对电池的过充电、过放电、过电流短路等保护。不仅适用于移动电源等大电流需求设备,也适用于单节锂离子/锂聚合物可充电电池CM1128/1129/1143系列采用的较小封装及至多两个外部组件的需求,使其成为电池组空间有限的理想解决方案。 功能特点 过充电保护电压:4.275V,精度 +25mV。当电池电压高于此值并持续一定时间,会触发过充电保护。 过充电解除电压:4.075V,精度 +50mV。电池电压降低到该值以下时,过充电状态解除。 过放电保护电压:2.400V,精度 +80mV。电池电压低于此值且持续一定时间,进入过放电保护。 过放电解除电压:3.000V,精度 +100mV。满足特定条件时,电池电压高于该值可解除过放电状态。 #国产芯片
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