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联发科,官宣:天玑9400流片成功 ! 采用台积电 3nm ! 最新ARM公版架构,明年上市 9 月 7 日消息,联发科与台积电今日共同宣布,联发科首款采用台积电 3nm 制程生产的天玑旗舰芯片开发进度十分顺利,日前已成功流片,联发科表示,其首款采用台积电 3nm 制程的天玑旗舰芯片将于 2024 年下半年上市。 ◇ 据数码闲聊站爆料,天玑9300,仍采用全套ARM公版架构。 ——据介绍,台积电公司的 3nm 制程技术不仅为高性能计算和移动应用提供完整的平台支持,还拥有更强化的性能、功耗以及良率。相较于 5nm 制程,台积电 3nm 制程技术的逻辑密度增加约 60 %,在相同功耗下速度提升 18 %,或者在相同速度下功耗降低 32%。 “MediaTek 首款采用台积公司 3 纳米制程生产的天玑旗舰芯片日前已成功流片,预计将在明年量产。长期以来,MediaTek 与台积公司保持紧密且深度的战略合作关系,双方充分发挥各自在芯片设计和制造方面的独特优势,共同打造拥有高性能、低功耗特性的高能效旗舰芯片,赋能全球终端设备。MediaTek 首款采用台积公司 3 纳米制程的天玑旗舰芯片将于 2024 年下半年上市,为新世代终端设备注入强大实力,引领用户体验迈向新篇章。” 此外,天玑9300详细规格参数现已公布,汇总如下: 【天玑9300】 ◇ 制成工艺:台积电N4P; ◇ CPU:1*Cortex-X4 超大核 + 3*3.0GHz•Cortex-X4m超大核+4*2.0GHz•Cortex-A720 大核; ◇ GPU:Immortalis-G720。 ◇ CPU表现:工程版本CPU,相较天玑9200,单核提升 13%,多核提升 33%,功耗降低50%(同性能频段,功耗降低50%——并不包括全频段性能) ◇ GPU表现:联发科天玑 9300 处理器在 GFXBench Aztec 1440P 测试场景中,性能表现极其优异,帧率高达到 90fps ! 远超高通骁龙 8 Gen 2 处理器的 68fps 和苹果 A16 处理器的 53fps,同时领先苹果M1。 #联发科 #手机 #芯片 #高通 #骁龙
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骁龙8Gen4,流片成功! 双超大核CPU设计,台积电三纳米工艺,全自研架构,全面革新 ! ——9月7日消息,据数码闲聊站爆料,骁龙8Gen4,现已正式流片,采用全套自研架构,二超大核加六大核的CPU架构设计,以及台积电三纳米工艺。 此外,联发科与台积电今日共同宣布,联发科首款采用台积电 3nm 制程生产的天玑旗舰芯片开发进度十分顺利,日前已成功流片,联发科表示,其首款采用台积电 3nm 制程的天玑旗舰芯片将于 2024 年下半年上市。 ——据介绍,台积电公司的 3nm 制程技术不仅为高性能计算和移动应用提供完整的平台支持,还拥有更强化的性能、功耗以及良率。相较于 5nm 制程,台积电 3nm 制程技术的逻辑密度增加约 60 %,在相同功耗下速度提升 18 %,或者在相同速度下功耗降低 32%。 “MediaTek 首款采用台积公司 3 纳米制程生产的天玑旗舰芯片日前已成功流片,预计将在明年量产。长期以来,MediaTek 与台积公司保持紧密且深度的战略合作关系,双方充分发挥各自在芯片设计和制造方面的独特优势,共同打造拥有高性能、低功耗特性的高能效旗舰芯片,赋能全球终端设备。MediaTek 首款采用台积公司 3 纳米制程的天玑旗舰芯片将于 2024 年下半年上市,为新世代终端设备注入强大实力,引领用户体验迈向新篇章。” 骁龙 8 Gen 3方面,根据此前爆料汇总如下: ❶【骁龙 8 Gen 3For Galaxy•高频版】 ◇ 编号:SM8650-AC; ◇ 制成工艺:台积电N4P ◇ CPU:采用1×3.3GHz±*X4 超大核(样片主频最高3.7Ghz)+3×3.15GHz*A720+2×2.96GHz*A720+2×2.27GHz*A520”核心配置,(骁龙 8 Gen 2:1+4+3) ——单核提升约 11.4%,多核提升约 26.3%。 ◇ GPU:Adreno 750 ◇ 三级缓存:10MB(骁龙 8 Gen 2:8MB) ——具体规格配置基于,Geekbench 6平台,三星 Galaxy S24 Plus现有跑分,如下图所示: 对比,此前收录的三星 Galaxy S23 Plus,骁龙 8 Gen 2,跑分可以看出,骁龙 8 Gen 3,单核提升约 11.4%,多核提升约 26.3%。 #手机 #骁龙 #高通 #联发科 #芯片
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